鏵德科技股份有限公司成立於2021年,自行設計的氮化鎵功率電晶體(GaN-FET)配合環球晶圓的代工生產，達到高效率、低損耗與高頻率的功率元器件。並且，在這個基礎之上，鏵德科技更進一步研發自有的氮化鎵功率元件趨動晶片(Gate DriverIC)，同步降壓PWM控制器(PWM IC)以及快充協議晶片(PD IC)。

在電源供應器的關鍵元件中，鏵德科技都有自已的解決方案，甚至領先業界，鏵德科技更是率先提出並且量產了GaN-FET+Gate driver+PWM的一次側板卡設計，並提供了完整的電路設計說明，讓導入氮化鎵專案更加快速與方便。

同時，鏵德科技也提供不同的快充方案設計，例如20W、30W、45W、65W，甚至100W以上的電路設計方案，鏵德科技均有完整的解決方案，也能為客戶快速地制定合適的設計方案，例如快充協議的訂製、電源功率的輸出分配、以及PCBA模組設計的客製。如同目前鏵德科技目前提供的快速充電器模組以及電源延長線快充模組的專案，皆為實際開發、送測並順利取得國內認證之實際案例。